褚君浩的个人简介
褚君浩（1945年3月20日―），江苏宜兴人，中国半导体物理和器件专家，中国科学院上海技术物理研究所研究员、红外物理学家。现任中国科学院上海技术物理研究所科技委副主任，东华大学理学院院长，第十届全国人大代表。
1966年毕业于上海师范学院物理系，1981年和1984年先后获中国科学院上海技术物理研究所硕士、博士学位，1985年加入九三学社，2005年当选为中国科学院院士。
长期从事红外光电子材料和器件的研究，开展了用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞（HgCdTe）和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽度等关系式，被国际上称为CXT公式，广泛引用并认为与实验结果最符合建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型发现HgCdTe的基本光电跃迁特性，确定了材料器件的光电判别依据开展铁电薄膜材料物理和非制冷红外探测器研究，研制成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像。2018年4月，获 “2017上海教育年度新闻人物”奖。
人物经历
1945年3月，君浩出生在江苏宜兴一个书香家庭，父亲是老师，新中国成立后在华师大从事地理工作。从小受父亲影响，褚君浩对理科特别感兴趣，尤其是上中学之后，更是迷恋上了物理。初三时他开始阅读天文学书籍，高中时阅读了《相对论ABC》和原子物理学方面的书籍，还看了好多科普书和科学家传记。
1962年高考时，褚君浩连续填报了复旦大学物理系、华师大物理系和上海师院（上师大前身）物理系三个志愿，非物理系不上。那年，虽然物理考了满分，但由于作文失误，总分被拉了下来，就进了第三志愿――上海师院。
1966年，毕业于上海师范学院（现上海师范大学）物理系，1981年和1984年先后获得中国科学院上海技术物理研究所硕士、博士学位。
1984年12月起，褚君浩担任中科院技术物理研究所物理室副主任。
1986年3月至1988年11月，他赴德国慕尼黑技术大学物理系从事博士后研究，为洪堡研究成员。回国后，褚君浩担任中科院技术物理研究所副研究员、红外物理国家重点实验室副主任，1992年晋升为研究员，1993年成为博士生导师。
1997年起，褚君浩应德国Springer-verlag邀请参加修订国际Landolt-bornstein大型科学手册：“科学技术中的数据与函数关系”Ⅲ/41B。
主要成就
科学研究褚君浩院士长期从事红外光电子材料和器件的研究，开展了用于红探测器的窄禁半导体碲镉汞（HgCdTe）和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽等关系式；被国际上称为CXT公式，广泛引用并认为与实验结果最符合；建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型；发现了HgCdTe的基本光电跃迁特性，确定了材料器件的光电判别依据；开展了铁电薄膜材料物理和非冷红外探测器研究，研究成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像，为中国物理科学和研究作出了重大贡献。
主要研究固体物理、窄禁带半导体物理。系统研究了窄禁带半导体的基础物理，在光学性质、电学性质、能带结构、晶格振动、杂质缺陷、二维电子气研究方面取得系统的研究成果，HgCdTe基础物理部分研究成果具有国际领先水平。提出的禁带宽度公式被国际上称为CXT公式（褚、徐、汤）。
人才培养褚君浩培养博士生30余名，已经获得博士学位22名，其中有两名获得全国百篇优秀博士论文奖。2004年评为国家重点实验室计划先进个人、国家973计划先进个人。他担任红外物理国家重点实验室主任期间，实验室在1997年和2002年国家评估中两次评为优秀。
主要论著发表论文200余篇，研究结果被国内外广泛引用并被大篇幅写进美国、英国、荷兰、前苏联等出版的科学手册和专著中。被国际权威的Landolt-Bornstein科技数据集特邀为“含Hg化合物部分”修订负责人。
1褚君浩，窄禁带半导体物理学， 科学出版社，2005。
2Junhao Chu and Arden Sher,Physics and Properties of Narrow Gap Semiconductors，Springer，2007
3Junhao Chu and Arden Sher,Devices Physics of Narrow Gap Semiconductors， Springer，2007
4RBlachnik,JChu,RRGalazka,JGeurts,JGutowski,BHonerlage,DEHofm ann,JKossut,RLevy,PMichler,UNeukirch,DStrauch,TStory,AWaag,Landol t-Boernstein: Numrical Data and Functional Relationships in Science and Technology III/41B Semiconductors: II-VI and I-VII Compounds; Semimagnetic Compounds， Edited By U Rossler,Springer， 1999
5JChu,TDietl,WDobrowolski,JGutowski,BKMeyer,KSebald,TStory,T Voss， Landolt-Boernstein: Numrical Data and Functional Relationships in Science and Technology III/44B: New Data and Updates and Updates for II-VI Compounds，Springer， 2008：347
6Junhao Chu,Pulin Liu,Yong Chang Editors,Proceedings of Fourth International Conference on Thin Film Physics and Applications,SPIE Vol4086,World Scientific， 2000
7Junhao Chu,Zongsheng Lai,Lianwei Wang,Shaohui Xu Editors,Proceedings of Fifth International Conference on Thin Film Physics and Applications,SPIE Vol 5774,World Scientific， 2004
8Junhao Chu,Shiqiu Xu,and Dingyuau Tang,Energy Gap Versus Alloy Composition and Temperature in HgCdTe ApplPhysLett,1983,43(11)：1064
9Chu Junhao,Xu shiqiu,Tang Dingyuan,The Energy Band Gap of Ternary Semiconductor HgCdTe Kexe Tongbao,1983,8(6)：851
10Junhao Chu,Dingrong Qian,and Dingyuan Tang,Burstein Moss Effect in HgCdTe Physics Scripta,VolT14,1986,37
11Junhao Chu,RSizmann,RWollrab,FKoch,JZiegle,HMaier,The Study of Capacitance Spectroscopy of Resonant Defect States in HgCdTe,JInfrared & MillimWaves,1989,8(5)：395
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20JHChu,ZYMi,RSizmann,FKoch,RWollrab,JZiegler,HMaier,Influe nce of Resonant Defect States on Subband Structure in HgCdTe JVacSciTech ,1992,B 10(4)：1569
21JHChu and SCShen,The Study of Far-infrared Phonon Spectra on HgCdTe Semicond,Sci& Tech,1993,8:S86~S89
22JHChu,BLi,KLiu,and DYTang,Empirical Rule of Intrinsic Absorption-spectroscopy in HgCdTe,JApplPhys,1994,1234
23Junhao Chu,Dingyuan Tang,Recent Progress on HgCdTe at the National Laboratory for Infrared Physics in China,JElectronic Materials,1996,25 (8):1176
24Junhao Chu,Yongsheng Gui,Biao Li ,Dingyuan Tang,Determination of Cut-off Wavelength and Composition Distribution in Hg1- xCdxTe,JElectronMater1998,27(6):718
获奖记录
荣誉称号?2018-04 2017上海教育年度新闻人物2017-09 2017感动上海年度人物 （获奖） ?2017-05 全国创新争先奖章 （获奖） ?2014-12-15 被授予“十佳全国优秀科技工作者”称号 （获奖） ?2004 评为国家重点实验室计划先进个人 （获奖） ?2004 国家973计划先进个人 （获奖） 所获奖项?2005 获得国家自然科学奖二等奖 （获奖） ?1999 获得中科院自然科学二等奖 关于红外国辐射国探测材料物理研究 （获奖） ?1995 获中科院自然科学二等奖 关于半导体表面二维电子气研究 （获奖） ?1993 获得国家自然科学奖三等奖 （获奖） ?1992 获1992年中科院自然科学一等奖 关于窄禁带半导体光学和电学性质研究 （获奖） ?1987 获得国家自然科学奖四等奖 （获奖）社会任职
德国慕尼黑技术大学篁系洪堡研究成员。兼任“红外与毫米波学报”主编，并兼任上海应用物理研究中心副主任、中国物理学会光物理专业委员会副主任、上海物理学会光物理专业委员会主任、上海激光学会副理事长。上海市第11届人民代表。
从1996年起，褚君浩先后担任中国物理学会光物理专业委员会副主任、上海激光学会副理事长、上海物理学会副理事长、上海市红外遥感学会副理事长。他曾担任国家攀登计划项目和国家自然科学基金重大项目的专家委员会委员，2002年起担任国家973项目“量子结构量子器件研究”专家委员会委员。
现任中国科学院上海技术物理研究所科技委副主任、《红外与毫米波学报》主编。
1993-2003年担任红外物理国家重点实验室主任。担任上海市红外与遥感学会理事长，中国物理学会光物理专业委员会副主任，上海技术物理研究所－华东师范大学成像信息联合实验室共主任。他是第十届全国人大代表。
人物评价
褚君浩是中国自己培养的第一个红外物理博士，发现了最完整的用于研制红外探测器的碲镉汞红外本征光吸收光谱；获得最具有直接物理意义的碲镉汞禁带宽度和组分、温度的关系式，被国际上称为褚D徐D汤表达式他取得的一些科研成果引起了世界同行的关注。
美国学术界在评论褚君浩研究组的工作时写道：“现在他们不仅已经赶上世界，并且在一些领域走在前面”。
