戴明志的个人简介
戴明志， 博士，博士生导师，研究员，2003年7月毕业于复旦大学，获得理学学士学位，2008年于中科院上海微系统所获得博士学位，随后在美国耶鲁大学、英国剑桥大学从事纳米电子学研究工作。
个人履历
2003年7月获复旦大学材料科学系电子科学与技术专业理学学士学位，
2008年7月获中国科学院上海微系统与信息技术研究所工学博士学位。
2009年赴美国耶鲁大学电子工程系从事研究工作，包括铁电材料存储器科研项目的物理机制、工艺、模型方面工作。
2010年8月以“春蕾行动”引进，任新能源所副研究员，从事纳米电子学方面的研究，包括太阳能、薄膜晶体管等。
已被Appl. Phy. Lett.、IEEE Electron Device Letters、 IEEE Trans. on Electron Devices等一系列SCI/EI杂志发表或接收10余篇文章，申请中国专利3项，已获批专利1项。
研究方向
纳米器件光电特性表征、模拟、设计与工艺改进；
薄膜晶体管和太阳能电池的应用研究；
论文专利
以第一作者发表JCR1区论文2篇（其中1篇获中科院宁波材料所首届最佳论文奖），2区论文7篇，申请专利6项。
[1] M. Dai and Q. Wan. Modeling Novel Double-in-Plane Gate Electric-Double-Layer Thin-Film and Nanoscale Transistors Nano Lett. 11, 3987 (2011)
[2] M. Dai, G. Wu, Y. Yang, J. Jiang, L. Li, and Q. Wan. Modeling of Low-Voltage Oxide-Based Electric-Double-Layer Thin-Film Transistors Fabricated at Room Temperature. Applied Physics Letter 98, 093506 (2011)
[3] M. Dai, G. Wu, Y. Yang, J. Huang, L. Li, J. Gong, and Q. Wan. Modeling of Self-Assembled Inorganic Oxide Semiconductor Based Electric-Double-Layer Thin Film Transistors. Appl. Phys. Lett. 98, 153501 (2011)
[4] M. Dai, Y. Yang, G. Wu, L. Li, J. Huang, J.Jiang, and Q. Wan. Density-of-State and Trap Modeling of Oxide-Based Electric-Double-Layer TFTs. IEEE Electron Device Letters 32, 512 (2011)
[5] M. Dai. Lifetime Model for Advanced N-Channel Transistor Hot-Carrier-Injection Degradation. IEEE Electron Dev. Lett. 31, 525 (2010)
[6] M. Dai, C. Gao, K. Yap, Y. Shan, Z. Cao, K. Liao, L. Wang, B. Cheng, S. Liu. A Model With Temperature-Dependent Exponent for Hot-Carrier Injection in High-Voltage nMOSFETs Involving Hot-Hole Injection and Dispersion. IEEE Trans. on Electron Devices 55, 1255 (2008)
[7] M. Dai, A. Yap, K. Huang, S. Y. Huang, J. Wang, S. Wang, I. Jiang, W. J. Zhang, L. Yi, A. Cheng, S. H. Liu, and K. Y. Liao. Modified Substrate Current Model for High Voltage N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Transistor and Its Implication on Transistor Design. Appl. Phys. Lett. 91, 233504 (2007)
[8] A. Lu, M. Dai, J. Sun, J.Jiang, and Q. Wan. Flexible Low-Voltage Electric-Double-Layer TFTs Self-Assembled on Paper Substrates. IEEE Electron Device Letters 32, 518 (2011)
[9] J. Jiang, M. Dai, J. Sun, B.Zhou, A. Lu, and Q. Wan. Electrostatic Modification of Oxide Semiconductors by Electric Double Layers of Microporous SiO2-based Solid Electrolyte. Journal of Applied Physics,109, 054501(2011)
[10] M. Dai and K. Yap. Observation and mechanism explanation of the parasitic charge pumping current. Microelectronics Reliability 50, 1915 (2010)
[11] M. Dai, S. Kim, A.Yap, S. Liu, A. Cheng and L. Yi. A unification of interface-state generation and hole-injection for hot-carrier-injection stress in low and high-voltage NMOSFET. Microelectronics Reliability 48, 504 (2008)
研究项目
主持多项科研项目，包括国际合作项目、国家自然科学基金、宁波市自然科学基金、中科院宁波材料所“春蕾行动”计划等；作为骨干参与国家自然科学基金面上项目、中科院知识创新工程重要方向性项目等。
荣誉奖励
入选中科院青年创新促进会；
入选“宁波市领军拔尖人才培养工程”；
入选中国科学院宁波工研院“春蕾计划”；
